CVD管式爐系統沉積效率高
CVD管式爐廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結構的可控生長等等；也可適用于金屬材料的擴展焊接以及真空或保護氣氛下熱處理。專門設計用于高溫材料沉積之用。具有溫度均勻、控制穩定、溫區間溫度擾動小、升溫速度快、節能、使用溫度高、壽命長等特點，是理想的科研設備。
系統設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業外，現在正在使用在許多行業，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發、涂料等領域。CVD成長系統是利用氣態化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發涂層的一種薄膜材料制備系統。
CVD管式爐系統產品的特點有以下幾點：
1、CVD系統沉積效率高;薄膜的成分可控，配比范圍大;厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實現厚膜沉積且能大量生產；
2、CVD系統可以制備高質量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動力學過程；
3、CVD系統兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式；
4、CVD系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長；
5、CVD系統使用計算機控制，可以設置多種生長參數。
