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預加熱滑動PECVD系統_1200℃_實驗爐，PECVD系統可以用于二維材料制備、石墨烯生長、TMDs材料制備、二硫化鉬、薄膜材料制備、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金剛石薄膜、金屬涂層、碳納米管生長、Zn0納米結構生長、新晶體材料、陶瓷纖維、陶瓷電容氣氛燒結、非晶態合金、粉體材料氣氛燒結、等離子表面改性等離子聚合、等離子清洗等

預加熱PECVD設備_1200℃_實驗爐，PECVD集成系統是一套完備的集成控制Plasma增強化學氣相沉積系統(PECVD)，在傳統CVD系統的前端加入RF射頻感應裝置將反應氣體電離，形成等離子體，利用等離子體的活性來促進反應，降低CVD反應溫度，沉積速度快，成膜質量好。

1200℃滑動雙溫區PECVD系統配置：1.1200度開啟式雙溫區真空管式爐2.等離子射頻電源3.多路質量流量控制系統4.真空系統（可選配中真空或高真空）。

PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。集成型PECVD系統PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系統PECVD-12IH-4Z/G

1200度小型PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。集成型PECVD系統PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系統PECVD-12IH-4Z/G