RTP快速退火爐可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料，離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐，快速熱處理設備(RTP)具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩(wěn)定等特點。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。

　　RTP快速退火爐用于半導體器件研發(fā)及生產(chǎn)等領域，可滿足離子注入后的快速退火、歐姆接觸快速合金、硅化物合金退火，氧化物生長以及銅銦鎵硒光伏應用中的硒沉積等快速熱處理工藝場合。

　　RTP快速退火爐應用領域：

　　1.離子注入/接觸退火;

　　2.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN);

　　3.RTP快速退火爐可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用;

　　4.SiAu, SiAl, SiMo合金化;

　　5.低介電材料;晶體化，致密化;

　　6.太陽能電池片鍵合;

　　RTP快速退火爐結構特點：

　　爐膛采用進口多晶纖維真空吸附制成，采用進口紅外線加熱管加熱，使用壽命可達5000小時，升溫速度快，zui高溫度可達1050℃。

　　爐管可自由移動，且密封法蘭之間用搭扣壓緊連接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人為操作導致漏氣的可能;減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能;當爐管移出爐膛時冷確風扇啟動，可實現(xiàn)試樣的迅速降溫，滿足材料驟冷驟熱的實驗要求;

　　RTP快速退火爐預留了真空、氣路快速接口，可配合我司真空系統(tǒng)、混氣系統(tǒng)使用;預留了485轉換接口，可通過我司軟件，與計算機互聯(lián)，可實現(xiàn)單臺或者多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能;

　　RTP快速退火爐設置超溫報警并斷電，漏電保護，操作安全可靠。