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PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

產品用途：此款CVD系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。

產品用途：此款CVD系統是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計，特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究，通過滑動爐實現快速加熱和冷卻。

PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。集成型PECVD系統PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系統PECVD-12IH-4Z/G

1200度小型PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。集成型PECVD系統PECVD-12IH-500A、1200℃小型PECVD系統PECVD-12IH-4Z/G

操作便捷性：1、方便的氣路快速連接口，簡化了流量控制系統與其他設備的鏈接。2、配置有三種接口（寶塔式接口、雙卡套式接口、KF接口），方便組合多種連接方式。