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滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區
滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區
滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區

更新時間:2026-09-14

廠商性質:生產廠家

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產品簡介:

滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區
此款設備是一套化學氣相沉積生長系統,可包含加熱系統、控溫系統、滑動裝置、質量氣體流量控制、真空控制系統、預加熱系統等模塊,根據工藝要求多模塊自由組合,并可擴展升級配置,節約成本。適用于多種經典化學氣相沉積工藝。

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產品詳情

CVD系統-產品介紹:滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區
此款設備是一套化學氣相沉積生長系統,可包含加熱系統、控溫系統、滑動裝置、質量氣體流量控制、真空控制系統、預加熱系統等模塊,根據工藝要求多模塊自由組合,并可擴展升級配置,節約成本。適用于多種經典化學氣相沉積工藝。

滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區

CVD系統-產品用途:

可用于二維材料制備、石墨烯生長、TMDs 材料制備、二硫化鉬制備、薄膜材料制備、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金剛石薄膜、金屬涂層、碳納米管生長、ZnO 納米結構生長、新晶體材料、陶瓷纖維制備; 陶瓷電容氣氛燒結、粉體材料氣氛燒結、非晶態合金生長。

產品組成:

此款CVD系統配置:
1.1200度開啟式真空管式爐(可選配滑動/雙管)
2.手動、電動滑動系統
3.多路質量流量控制系統
4.真空控制系統(可選配中真空或高真空)


滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區 產品參數:


系統名稱

1200℃(含滑動式)單/多溫區CVD系統

系統型號

CVD-12I-3Z/G

CVD-12IIH-3Z/G

CVD-Y12IIH-3Z/G

CVD-12IIIH-3Z/G

最高溫度

1200℃

加熱區長度

420mm

655mm

恒溫區長度

200mm

500mm

溫區

單溫區

雙溫區

三溫區

石英管管徑

①50/Φ60/Φ80/Φ100mm

額定功率

3Kw

3.2Kw

4.8Kw

額定電壓

220V

380V

滑動距離

380mm(≥500)

500mm(≥800)

滑動方式

手動滑動/自動滑動(由溫度控制器自動控制移動。當程序完成,爐子按設定的速度滑動)

溫度控制

國產程序控溫系統50段程序控溫

控制精度

±1℃

長期工作溫度

≤1100℃

氣路法蘭

采用多環密封技術卡箍快速連接

排風冷卻裝置

先進的空氣隔熱技術,結合熱感應技術,當爐體表面溫升到50℃時,排溫風扇將自動啟動,使爐體表面快速降溫

氣體控制方式

質量流量計(按鍵式)

氣路數量

1~3路(可根據具體需要選配氣路數量 )

流量范圍

0-500sccm(標準毫升/分,可選配)氮氣標定

精度

±1%F.S

響應時間

1sec

工作溫度(流量計)

5-45℃

工作壓力

進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力)

進氣方式

采用防倒流設計

規格

中真空

高真空

系統真空范圍

10-100Pa

10-1x10-3Pa


真空泵

雙極機械泵理論極限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S (選配:其它抽速真空泵),出氣口配有油霧過濾器, 額定電壓220V,功率0.55Kw

真空分子泵理論極限真空度

5x10-6Pa,抽泣速率1200L/S(選配: 其它抽速真空泵),出氣口配有油霧 過濾器,額定電壓220V,功率2Kw

真空分子泵理論極限真空度  5x10-6Pa,抽泣速率1600L/S(選配: 其它抽速真空泵),出氣口配有油霧 過濾器,額定電壓220V,功率2Kw

爐體外形尺寸

360×580×555mm

360×815×555mm

系統外形尺寸

530×1440×750mm

530×1740×750mm

530×1740×750mm

系統總重量

230Kg

290Kg

330Kg




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  • 郵箱:15122725930@163.com

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